A finales de 2017 Samsung dio a conocer su chip de 512 GB para smartphones y poco después vimos la llegada del Galaxy Note 9 con esta memoria, más la capacidad de expansión hasta 1 TB con ayuda de tarjetas microSD. Ahora, el fabricante quiere romper su propio récord y presenta un nuevo chip de 1 TB para smartphones, justo a tiempo para la llegada de sus nuevos dispositivos insignia.
El nuevo chip de almacenamiento universal de 1 TB de Samsung (1 TB eUFS) es el primero del mundo de su tipo y marca un nuevo hito de la industria móvil. De acuerdo con Cheol Choi, VP del área de memorias de Samsung Electronics, menciona que "se espera que la masificación de este chip tiene ayude a llevar una experiencia de notebook a los dispositivos móviles de nueva generación".
Respecto a los detalles técnicos del nuevo chip de memoria, Samsung asegura velocidades de lectura de hasta 1,000 Mb/s y de escritura de hasta 260 MB/s. Además, las velocidades de lectura y escritura aleatorias de 58,000 IOPS y 50,000 IOPS, respectivamente, permitirán a los usuarios la grabación constante de video a 960 fps, así como sacar total ventaja de las capacidades multicámaras de los dispositivos móviles, según Samsung.
Este nuevo chip V-NAND de 1 TB de Samsung ha entrado a producción en masa y se espera que en esta primera mitad del año sea distribuido a los fabricantes que estén interesados en ponerlo dentro de sus dispositivos.
Ahora, respecto a los próximos lanzamientos estrella de Samsung, la familia Galaxy S10, si bien ya hemos visto varias filtraciones sobre su diseño, también hay rumores sobre una posible versión súper poderosa con hasta 12 GB de RAM y 1 TB de memoria de almacenamiento. Entonces, la presentación de este chip adelanta que quizás sea verdad esta premisa, o al menos la referente al almacenamiento.
El 20 de febrero, fecha en que se llevará a cabo el evento Unpacked 2019 de Samsung en San Francisco, lo descubriremos.
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