Apenas conocemos al Galaxy Note 7, último phablet presentado por Samsung que pronto llegará a México, pero las especulaciones y rumores no detienen su ritmo. Es de esta manera que ahora conocemos los primeros detalles del Galaxy S8, el próximo integrante de la familia Galaxy S que conoceremos el próximo año.
Si bien anteriormente se dejaron conocer algunos posibles detalles sobre su pantalla 4K y doble cámara trasera, ahora los detalles van un poco más allá y nos revelan los secretos del poderoso SoC que le dará vida a esta nueva bestia asiática.
Como ya sabemos, Samsung ha optado desde hace generaciones por lanzar una versión potenciada por la joya de la corona en turno de Qualcomm y otra movida por procesadores Exynos de propia fabricación. Es casi seguro que el próximo integrante de la familia Galaxy S llevará en su interior el Snapdragon 821 o quizás el futuro Snapdragon 830, mientras que del otro lado estará la versión con el Exynos 8895, SoC del que se esperan grandes cosas.
Poder de procesamiento en su máxima expresión
Una filtración de Weibo, recogida por Phone Arena, revela que el Exynos 8895 estaría fabricado en proceso de 10 nm y podría alcanzar frecuencias de hasta 4 Ghz en los cores dedicados al desempeño y no menos de 2.7 Ghz en los cores de bajo consumo energético, cantidades que representan una mejoría del 30% respecto a modelos anteriores.
Obviamente estas frecuencias son teóricas, pero de lograrse serían limitadas ligeramente por el bien de la eficiente térmica de los componentes. Aún así, el proceso de fabricación en 10nm ofrecería un gran desempeño por un muy bajo consumo energético.
Aparte de esto, poco más se sabe de las bondades que podría traer el Galaxy S8, pero es normal si tenemos en cuenta que aún faltan varios meses para conocer este móvil de manera oficial, cuya presentación tendría lugar en el MWC del próximo año.
