Hace poco, Toshiba y SanDisk compartieron los primeros detalles de un nuevo tipo de memoria con estructura tridimensional que hará posible incrementar la capacidad de almacenamiento de toda clase de productos.
Ahora, ambas compañías aprovechan que pronto dará inicio la Flash Memoru Summit 2015 para dar un adelanto general de lo que será su primera memoria NAND Flash fabricada con 16 capas que usa la Tecnología TSV (Through Silicon Via) que ya fue adoptada por SK Hynix para memoria DRAM y que Samsung usa en SSDs 850 EVO Series.
De acuerdo a la poca información que ha compartido Toshiba hasta ahora, sus nuevos chips NAND Flash con Tecnología TSV están fabricados a 14nm y ofrecerán capacidades de 128GB con 8 capas y hasta 256GB con 16 capas.
Tal y como ya lo hemos visto con otras soluciones basadas en Tecnología TSV, una de sus grandes ventajas es que .será posible incrementar densidad de almacenamiento y ahorrar espacio. Esto debido a que las celdas estarán apiladas una sobre la otra y conectadas por electrones verticales y vías que las atraviesan.
A causa de este diseño Toshiba asegura que es posible mejorar alcanzar velocidad de transferencia hasta de 1Gbps lo cual viene siendo mayor que cualquier otro diseño de memoria NAND Flash actual. Otra ventaja es que utiliza 50% menor voltaje en operaciones de lectura, escritura y transferencias E/S.
Disponibilidad
Al momento no tenemos confirmación sobre cuándo veremos los primeros productos con este tipo de memoria, pero lo que es obvio es que vamos a encontrarla en SSDs de SanDisk.
Más información | Toshiba
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