Samsung acerca al consumidor memoria 3D V-NAND con SSDs 850 EVO Series

Samsung se ha convertido en una las compañías precursoras en el desarrollo de memoria 3D NAND, como una alternativa para incrementar capacidad de almacenamiento y reducir costos en unidades de estado sólido (SSDs)

Su primer apuesta ocurrió en el segmento enterprise con las unidades 850 Pro Series. Ahora, es turno para el mercado consumidor con los SSDs 850 EVO Series que están equipados con su memoria 3D V-NAND de segunda generación anunciada hace apenas unos meses atrás.

Las unidades Samsung 850 EVO Series vamos a encontrarlas notablemente interesantes ya que vienen en una amplia variedad de capacidades que va desde los 120GB, 250GB, 500GB y hasta de 1TB.

Para conseguirlo, opuesto a lo que sucede con otros SSDs que ofrecen "gran capacidad a precio accesible" usando memoria fabricada a nodos muy pequeños de 19nm o 16nm donde se sacrifica confiabilidad, Samsung ha optado por usar su memoria 3D V-NAND de 3-bits fabricada a 40nm.

Su secreto radica en que al utilizar chips que están construidos con 32 capas apiladas verticalmente y conectadas mediante conexiones llamadas TSV (Through-Silicon vías), han conseguido tener módulos con densidad de 86Gbit sin tener que recurrir a procesos de manufactura menos confiables.

Aunque esta técnica no asegura un mejora sustancial de rendimiento que no hayamos visto, si promete un mayor tiempo de vida de hasta 80GB de escritura por día durante cinco años para los dos últimos modelos ya mencionados.

En términos de rendimiento se asegura que los 850 EVO Series pueden entregar velocidades de lectura y escritura de 540 MB/s y hasta de 520 MB/s, respectivamente. Cabe mencionar que una de sus características especiales es la Tecnología TurboWrite con la que se habla de una ganancia de hasta 90K IOPS en escritura aleatoria.

Al momento, la memoria 3D V-NAND de 3-bit solo vamos a encontrarla en unidades 850 EVO Series con interfaz SATA, pero para el 2015 se habla que la variedad crecerá con variantes de diferentes factores de forma como mSATA y M.2.

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