Los dispositivos móviles son más potentes cada día, no hay duda de ello, pero su capacidad limitada para almacenamiento se ha vuelto un problema para poder gozar de nuevas experiencias como sería el caso de contenido UHD.
SanDisk busca resolver estos problemas con sus nuevos chips de memoria iNAND 7232 con los que será posible incrementar el almacenamiento hasta 128GB de tablets, smartphones y otros, de gama alta.
Haciendo un poco de memoria, la solución de almacenamiento de SanDisk tiene la misma finalidad que la propuesta de Samsung que presentaron el pasado mes de marzo. Por su puesto, cada quien ha adoptado diferentes acercamientos, pero la idea es la misma: ofrecer mayor espacio en móvies.
En el caso de la memoria iNAND 7232 está basada en la especificación eMMC 5.1+ HS400 y una arquitectura híbrida que combina memoria NAND TLC (triple level cell) y SLC (single level cell) para caché.
Diagrama de memoria iNAND 7131 de generación previa.
Si lo vemos a detalle, los chips NAND TLC están fabricados a 15nm y tienen una capacidad de 32GB hasta 128GB, mientras que el caché será de 500MB o 1GB y está basado en la Tecnología SmartSLC de 2da generación con lo cual aseguran una mejora en velocidades de 25% comparado a la generación previa.
Con esta configuración, SanDisk asegura que se han conseguido velocidades de lectura/ecritura secuencial de 280 MB/s y 150 MB/s, respectivamente. Esto se traducirá en que veremos móviles capaces de capturar fotos RAW hasta de 3fps y video 4K UHD. A modo referencia un video 4K de 5 min podrá ser descargado en tan solo 10 segundos.
Más información | SanDisk
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