Intel y Micron harán realidad lo imposible con memoria 3D XPoint

El uso de memoria NAND Flash TLC (triple level cell) se volvió una de las opciones más atractivas de la industria para ofrecer SSDs de gran capacidad a bajo costo. La desventaja que presenta es que se sacrifica fiabilidad.

La alternativa que ha resultado más prometedora ya que resuelve los problemas de la anterior es la memoria 3D NAND Flash. ¿El problema? No todos los fabricantes de memoria han podido garantizar la disponibilidad de productos basados con esta tecnología.

Esto claro no ha impedido que algunos comiencen a hacer ruido con lo que vendrá en el futuro. Este es el caso de Intel y Micron quienes hicieron oficial hace unos días un nuevo tipo de memoria no volátil llamada 3D XPoint (pronunciado 'cross point').

Una nueva clase de memoria

Durante la conferencia que dio Intel junto con Micron no se profundizo a detalle sobre la arquitectura de este nuevo tipo de memoria no volátil la cual destacaron "hubo expertos que pensaron no sería posible", aunque si revelaron lo suficiente para tener una idea de todos los beneficios que ofrecerá frente a todo lo que hoy conocemos.

Para empezar, ambas compañías revelaron que llevan colaborando en el desarrollo de la memoria 3D XPoint desde el 2012 y destacaron que sacará provecho de memoria NAND Flash y DRAM para poder usarla en una gran cantidad de aplicaciones ya sea para almacenamiento en SSDs (solid state drives) y smartphones, o bien como memoria de sistema.

Algunos de los beneficios que destacaron es su velocidad de hasta 1000 veces mayor que la memoria NAND Flash actual y hasta 1000 veces más fiable. Pero no solo eso. Adicionalmente ofrecerá hasta 10 veces mayor densidad que la memoria tradicional DRAM.

Adiós a los transistores

Para entender cómo es posible que entregará mayor densidad y un gran rendimiento, empecemos mencionando que la primera generación de chips de memoria 3D XPoint tendrán una capacidad de 128Gb y están fabricados mediante un proceso a 20nm.

Su secreto radica en que utiliza una estructura "CrossPoint" en la que no solo están apilados dos capas (al menos por ahora) tridimensionalmente como hemos visto con la memoria 3D NAND. El cambio importante es que la información es almacenada de forma distinta.

A lo que esto se refiere es que la memoria 3D XPoint no utiliza transistores para modificar las celda como ocurre con la memoria DRAM. En su lugar se podrá modificar celdas individualmente y accesar a nivel bit en lugar de bloques enteros.

Por este cambio fundamental es que la memoria 3D XPoint no solo será más rápida sino que también ocupará menos espacio con un diseño tridimensional que además es más escalable permitiendo incrementar su capacidad comparado a la memoria DRAM.

Todo esto se resume en que la memoria 3D XPoint podría ser una solución a los requerimientos de almacenamiento y rendimiento que cada vez son mayores para compañías como Google y Facebook.

En lo que respecta al mercado consumidor la promesa es que usar memoria 3D XPoint hará posible reducir cuellos de botella del CPU haciendo posible que las PCs den el salto para soportar resoluciones 8K.

Disponibilidad

De acuerdo a Intel y Micron, la tecnología ya está lista para su producción en alto volumen y esperan que los primeros productos lleguen para el 2016.

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