Una tecnología desarrollada por físicos de la Universidad de Lancaster, en Reino Unido, podría revolucionar el almacenamiento secundario de nuestros ordenadores, smartphones y otros dispositivos.
Esta nueva propuesta, que promete mejorar el almacenamiento de datos y superar las limitaciones de los chips NAND Flash, se llama UltraRAM y ofrece una serie de ventajas que la hacen muy atractiva para el mercado. ¿Qué es UltraRAM y por qué es mejor que los chips NAND Flash? Te lo contamos a continuación.
La promesa de los circuitos integrados: UltraRAM
Los creadores de UltraRAM, una innovación que podría cambiar el almacenamiento secundario, han fundado una empresa, Quinas, para comercializar esta tecnología.
Quinas es una empresa que ha desarrollado UltraRAM, una tecnología de almacenamiento no volátil que combina lo mejor de las memorias NAND Flash y DRAM. Según sus creadores, UltraRAM tiene la capacidad de las NAND Flash y la velocidad de las DRAM, pero con una latencia diez veces menor. Esto la convierte en una opción muy atractiva para el almacenamiento secundario.
UltraRAM vs. NAND Flash
UltraRAM tiene otra ventaja importante sobre los chips NAND Flash: su durabilidad. Según sus creadores, UltraRAM puede almacenar información durante más de 1,000 años, mientras que los NAND Flash solo duran unos pocos años. Esto significa que UltraRAM podría solucionar los problemas de fiabilidad y durabilidad que afectan a las unidades SSD.
UltraRAM también destaca por su bajo consumo eléctrico: gasta cien veces menos que las memorias DRAM del mismo tamaño. Esta tecnología tiene un gran potencial y cuenta con el respaldo de científicos de la Universidad de Lancaster y el interés de Meta, una de las empresas líderes en el sector tecnológico.
Quinas y la tecnología MBE
Quinas es una empresa que usa dos tecnologías clave para crear UltraRAM: MBE (Epitaxia por Haces Moleculares) y un efecto cuántico llamado túnel resonante. Estas tecnologías les permiten integrar sus chips UltraRAM, que ahora están hechos con litografía de 20 nm, pero pronto podrán usar equipos más avanzados.
Las máquinas MBE que utiliza Quinas se usan para crear capas de materiales semiconductores sobre un sustrato. Estos materiales, mediante el túnel resonante, permite a los electrones pasar por barreras de energía.
Este efecto es el que hace posible la UltraRAM, una tecnología de almacenamiento no volátil muy prometedora. Sin embargo, hay que ser cautelosos y esperar a que UltraRAM se comercialice y demuestre su rendimiento. Aunque tiene un gran potencial, todavía no es una realidad.
