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Toshiba y SanDisk inician la carrera con memoria NAND Flash a 15nm

Está previsto que la industria de la memoria NAND Flash se convierta en uno de los negocios más redituables por la alta demanda que se espera en mercados de gran crecimiento como el de smartphones y unidades de estado sólido (SSDs) tanto para el segmento consumidor como enterprise.

Sin embargo, en orden para mantener márgenes de ganancias los fabricantes han optado por incrementar espacio de almacenamiento, y para conseguirlo una de las formas es acelerar el desarrollo de nodos más pequeños como es el caso de Toshiba y SanDisk quienes acaban de anunciar que comenzarán la producción en masa de chips a a 15nm.

De acuerdo a lo que se menciona, Toshiba y SanDisk han conseguido desarrollar memoria NAND Flash a 15nm sin recurrir a un diseño tridimensional (3D) al usar un proceso avanzado y un diseño innovador a base de celdas escalables en los ejes 'x' y 'y'.

A este diseño SanDisk lo llama arquitectura ABL (All-Bit-Line) que consiste de algoritmos de programación propietarios y gestión de almacenamiento de información multi-level. Toshiba no lo especificó aún.

Como beneficios se menciona que la memoria NAND Flash de 15nm conservará las mismas tasas de escritura que la segunda generación de memoria NAND Flash a 19nm, aunque si habrá un incremento de hasta 533 Mb/s en velocidades de transferencia o 1.3 veces más al usar una interfaz mucho más rápida.

En el caso de Toshiba su plan es introducir memorias con chips de 3-bits por celda para dispositivos móviles como smartphones y tablets. Así mismo desarrollará un controlador para ampliar su uso en el mercado de PCs portátiles en SSDs. Por su puesto es de esperar que los primeros SSDs con este tipo de memorias sean OCZ ahora que forma parte como subsidiaría de Toshiba.

El pequeño inconveniente de este tipo de memoria es que aunque podrán producirse más chips en una misma oblea y permitirá reducir los precios al mismo tiempo que aumenta la capacidad de los SSDs, es de esperarse que su tiempo de vida más corto.

La producción en masa de memoria NAND Flash de 15nm de Toshiba está programado para que inicie a finales de este mes en las fábricas Fab 5 Yokkaichi Operations y hasta Junio de este año.

Vía | Toshiba Más información | TECHINSIGHTS

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