Samsung promete SSDs de mayor capacidad y bajo costo con memoria 3D V-NAND de 3-bits

Samsung ya comenzó a trabajar con memoria NAND Flash de diseño tridimensional (o como ellos le llaman 3D V-NAND) en las unidades Samsung 850 Pro como una forma para incrementar la capacidad de los SSDs y reducir costos.

Ahora, en un comunicado reciente, están confirmando que han puesto en marcha la producción en masa de la primera memoria 3D V-NAND de 3-bits (o TLC, o triple level cell), que será con la que buscan 'acelerar la transición de discos duros a SSDs' en el mercado de gama media.

La novedad de la memoria 3D V-NAND consiste en que cada módulo de memoria está fabricado utilizando celdas apiladas una encima de la otra. De esta manera se ha conseguido mejorar la densidad, rendimiento y reducir costos.

Jaesoo Han, Senior Vice Presidente, para Ventas de Memoria & Marketing, en Samsung Electronics, explica:

"Con la adición de toda una línea de SSDs de alta densidad que es conducida tanto por rendimiento y costo, creemos que la memoria V-NAND de 3-bits acelerará la transición de dispositivos de almacenamiento de información de discos duros a SSDs."

"Una amplia variedad de SSDs incrementará nuestra competitividad de producto al mismo tiempo que expandimos rápidamente nuestro negocio de SSD."

En el caso de la memoria 3D V-NAND TLC de está ocasión, la tecnología empleada es de 2da generación ya que cada módulo de memoria se compone de 32 celdas apiladas y no 24 celdas como la memoria lanzada en el 2013, lo que permite incrementar su capacidad de almacenamiento hasta 128 Gb por chip.

De momento no se tiene palabra oficial sobre el proceso de manufactura empleado para fabricar la memoria 3D V-NAND TLC, pero se sospecha que Samsung está utilizando uno más viejo. Lo que si aseguran, es que esta tecnología duplica la productividad de las obleas comparado a memoria con diseño planar fabricada a 10nm.

Vía | Businesswire