Samsung y Qualcomm, dos gigantes de la tecnología, se unieron el año pasado para dar vida al Snapdragon 835, la actual joya de la corona del fabricante de semiconductores (que ya hemos probado), marcando un hito en la industria pues si bien Qualcomm es el principal productor de estos componentes, Samsung también hace lo propio con sus chipsets para sus terminales estrella.
Tal parece que la colaboración ha ido tan bien, que este año repetirían mancuerna. De hecho, un nuevo reporte dice que ambas compañías ya han comenzado a mover los engranes para el desarrollo de su nuevo chipset estrella.
El Snapdragon 845, supuesto nombre de este próximo estandarte, sería el encargado de dar vida al Galaxy S9 en su versión para Estados Unidos, según detalles que se desprenden del mismo reporte.
Comparativa de tamaño del Snapdragon 835 y el Snapdragon 820
Recordemos que los Galaxy S8 y Galaxy S8+, actuales estandartes de Samsung, son los primeros móviles en el mundo en usar el Snapdragon 835 (aunque la versión que llegará a México será la potenciada por el Exynos 8895), entonces es de esperar que con la alianza repetida, sucederá lo mismo el próximo año con el Snapdragon 845 y el Galaxy S9.
Los detalles técnicos del próximo chipset estrella son por ahora desconocidos. Sin embargo, el reporte detalla que recientemente el fabricante surcoreano presentó un SoC fabricado con la segunda generación de su proceso de 10 nanómetros, y los resultados son por demás llamativos: 10% más potente con un consumo energético 15% menor respecto a la primera generación, un gran logro.
Se espera la presencia de este nuevo proceso, pero mientras se detallan más características solo nos queda seguir esperando.
